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分立半导体
FZ400R12KP4参考图片

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FZ400R12KP4

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库存:3,123(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥799.5993
799.5993
5
¥784.9206
3924.603
10
¥749.5742
7495.742
25
¥724.6803
18117.0075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KP4HOSA1 SP000524472
商品其它信息
优势价格,FZ400R12KP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 47V 1W
10,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
50,000:¥0.59212
100,000:¥0.56839
参考库存:26992
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 600 Volt 200 Amp IFSM
1,200:¥5.3901
3,600:¥4.8816
6,000:¥4.7799
10,800:¥4.3844
参考库存:26995
分立半导体
MOSFET 60V N channel MOSFET
5,000:¥1.9549
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8871
参考库存:26998
分立半导体
整流器 200V 15A REV Leads Std. Recovery
300:¥56.4774
500:¥51.5619
1,000:¥44.8723
参考库存:27001
分立半导体
MOSFET High Switching Speed
3,000:¥3.8985
9,000:¥3.6612
24,000:¥3.1753
参考库存:27004
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