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分立半导体
IRF9610PBF参考图片

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IRF9610PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
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库存：4,531(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2546
3627.3
1,000
¥6.0116
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRF
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.9 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF9610PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP150PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
参考库存:4210
IRFR9024PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp
1:¥7.5258
参考库存:2003
DF200R12PT4_B6
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,421.1558
5:¥1,387.0411
10:¥1,352.5422
25:¥1,333.6373
参考库存:1361
FQP30N06
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
参考库存:3025
L4004L3TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 Sen Triac 400V 4A 3-3-3-3 mA TO220 Iso
1:¥13.7521
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
1,000:¥6.4184
参考库存:2357
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