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分立半导体
SIHU3N50D-GE3参考图片

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SIHU3N50D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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库存：5,766(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥5.6952
56.952
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.5708
1785.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIHU3N50D-E3
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，SIHU3N50D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
50A02CH-TL-H
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.5A 50V
1:¥3.9211
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:9096
PDTC123YMB,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTC123YMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:11038
MMSZ5234B-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:15860
30C02MH-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 30V
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:8103
TZMC1V0-M-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2-M
1:¥3.2996
10:¥1.8758
100:¥1.00683
500:¥0.80682
参考库存:10077
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