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分立半导体
BSC054N04NS G参考图片

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BSC054N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:32,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
5,000
¥2.825
14125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
81 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSC054N04NSGATMA1 BSC54N4NSGXT SP000354808
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC054N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 5.89V 5% 150mW FLT LD 0.8x1.6mm
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.54579
500:¥0.41471
3,000:¥0.25312
9,000:查看
参考库存:39371
分立半导体
双向可控硅 ISO TO220 25A 35mA TRIAC
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥23.052
参考库存:3949
分立半导体
MOSFET N and P Ch 40V FET 6.1A 1.5W 850pF
1:¥10.1474
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.537
2,500:¥3.9211
10,000:查看
参考库存:5535
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 50V 150MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:16114
分立半导体
稳压二极管 5.1V 500mW
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.23052
参考库存:44806
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