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分立半导体
SQ3985EV-T1_GE3参考图片

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SQ3985EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:5,930(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC, 4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S, 7 S
下降时间
20 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns, 26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3985EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 60V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16480
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:1849
分立半导体
稳压二极管 5W 36V
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4861
250:¥3.9098
3,000:¥2.3391
6,000:查看
参考库存:2937
分立半导体
MOSFET PFET SOT23 20V .160R
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:16673
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W PNP
1:¥9.0626
10:¥7.6049
100:¥5.8986
500:¥5.2093
参考库存:2582
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