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分立半导体
IRFSL7430PBF参考图片

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IRFSL7430PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
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库存:2,762(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
426 A
Rds On-漏源导通电阻
970 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
460 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
SP001557608
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IRFSL7430PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:2713
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1258
250:¥28.589
450:¥25.6623
参考库存:14653
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
1:¥3.5369
10:¥2.4069
100:¥1.6272
500:¥1.3108
7,500:¥0.84524
参考库存:10081
分立半导体
桥式整流器 1A,1000V
1:¥4.2262
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.5255
1,500:¥0.95259
9,000:查看
参考库存:7034
分立半导体
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
1:¥51.7088
10:¥46.7142
25:¥44.5672
100:¥38.646
800:¥33.6514
参考库存:3370
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