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分立半导体
BSZ180P03NS3 G参考图片

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BSZ180P03NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
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库存:5,532(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
5,000
¥1.7854
8927
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39.6 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ18P3NS3GXT SP000709744
商品其它信息
优势价格,BSZ180P03NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
1:¥16.1364
10:¥13.7521
100:¥10.9836
500:¥9.605
1,500:¥7.4354
4,500:查看
参考库存:3537
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 1A 60V
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥1.05316
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.60681
参考库存:7979
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3136
分立半导体
整流器 Ultra Fast 50V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:6843
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:7253
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