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分立半导体
2N7000-D26Z参考图片

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2N7000-D26Z

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
2,000
¥0.48364
967.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7000
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.1 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
2N7000_D26Z
单位重量
201 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000-D26Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
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1,000:¥4.4748
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1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
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1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
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1:¥4.8364
10:¥3.5934
100:¥2.6668
500:¥2.26
7,500:¥1.3447
22,500:查看
参考库存:7464
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