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分立半导体
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BSO604NS2

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库存：6,847(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9382
69.382
100
¥5.3223
532.23
500
¥4.7121
2356.05
2,500
¥3.2996
8249
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms, 31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC, 26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6.7 S, 6.7 S
下降时间
8 ns, 8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns, 52 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
BSO604NS2XUMA1 BSO64NS2XT SP000396268
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO604NS2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRL640SPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:3693
RTF025N03TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:8091
APT20M22JVRU3
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power Module - Mosfet
1:¥347.0117
5:¥335.4066
10:¥324.4908
25:¥300.0602
参考库存:2638
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:3078
T740N26TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 Phse Cntrl Thyristrs 740A 2600V
1:¥1,148.2947
5:¥1,125.706
10:¥1,073.2288
25:¥1,050.7079
参考库存:2595
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