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分立半导体
APT150GT120JR参考图片

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APT150GT120JR

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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数量单价合计
1
¥405.105
405.105
2
¥394.1101
788.2202
5
¥383.2056
1916.028
10
¥372.2898
3722.898
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
900 nA
Pd-功率耗散
830 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT150GT120JR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZMM5Z8V2T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7726
BZX84C24-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.35W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:14269
SZMMSZ4699T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.5W 12V
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:14190
TLZ56-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:12726
BAV21W-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 250V 625mA 1A IFSM
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.77631
500:¥0.66105
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:14867
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