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分立半导体
MJB45H11G参考图片

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MJB45H11G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W PNP
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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2093
2604.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJB45H11
高度
4.83 mm (Max)
长度
10.29 mm (Max)
封装
Tube
宽度
9.65 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.309 g
商品其它信息
优势价格，MJB45H11G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ES6 PLN
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
4,000:¥0.41471
参考库存:8017
1N5820-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Vr/20V Io/3A
1:¥3.9211
10:¥2.6329
100:¥1.7741
500:¥1.4238
1,400:¥1.06785
参考库存:8126
J174
InterFET
分立半导体
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥26.7358
10:¥21.5152
100:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:4439
DTC143ZETL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:17700
VS-70HF10
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100 Volt 70 Amp
1:¥61.246
10:¥55.3248
100:¥45.7989
200:¥42.3411
500:¥39.8777
参考库存:4401
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