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分立半导体
IPD90N04S4-05参考图片

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IPD90N04S4-05

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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库存:2,669(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4409
444.09
500
¥3.9211
1960.55
2,500
¥2.7459
6864.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
86 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD90N04S405ATMA1 IPD9N4S45XT SP000711460
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD90N04S4-05的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:41317
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:41320
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
5,000:¥7.91
10,000:查看
参考库存:10662
分立半导体
MOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4522
1,500:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:16164
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:41327
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