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分立半导体
BSP296N H6327参考图片

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BSP296N H6327

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库存:6,441(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
329 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP296
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.66 S
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
零件号别名
BSP296NH6327XTSA1 SP001059330
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP296N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:6451
分立半导体
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:57612
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
参考库存:9581
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
参考库存:7747
分立半导体
MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
3,000:¥10.6785
参考库存:5260
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