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分立半导体
IRF9Z14PBF参考图片

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IRF9Z14PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥6.9156
69.156
100
¥6.0455
604.55
500
¥4.6895
2344.75
1,000
¥3.7064
3706.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRF9Z
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF9Z14PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RSFDL RQ
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 0,5A, 200V, SMF FAST RECOVERY
1:¥3.6838
10:¥3.2996
100:¥2.1696
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.46895
20,000:查看
参考库存:34017
S5D R6G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 5A, 200V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
1:¥3.6838
10:¥3.0736
100:¥2.3165
500:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.1752
参考库存:34020
TSZU52C4V7 RG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 150mW 4V7
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:34023
RS1JL R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.0 Amp 600 Volt 150ns
1:¥3.6838
10:¥3.2996
100:¥2.1696
1,000:¥0.72998
1,800:¥0.5989
参考库存:34026
FR307G R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A 1000V GLASS PASSIVATED
1:¥3.5369
10:¥2.7685
100:¥1.9097
500:¥1.3108
1,250:¥0.9831
参考库存:34029
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