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分立半导体
IPD30N03S2L-20参考图片

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IPD30N03S2L-20

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库存:5,160(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2997
52.997
100
¥3.4239
342.39
1,000
¥2.7346
2734.6
2,500
¥2.3052
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
14.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
IPD30N03S2L20ATMA1 IPD3N3S2L2XT SP000254466
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD30N03S2L-20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:4741
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:8928
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 0.5W 2%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:16573
分立半导体
整流器 100 Volt 2.0A 15ns 80 Amp IFSM
1:¥3.4578
10:¥2.3843
100:¥1.6046
500:¥1.2882
4,000:¥0.83733
8,000:查看
参考库存:6777
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
4,000:¥1.7628
参考库存:23042
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