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分立半导体
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TGF2025

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
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数量单价合计
100
¥46.8724
4687.24
300
¥43.7988
13139.64
500
¥40.9512
20475.6
1,000
¥38.2618
38261.8
2,500
¥35.9566
89891.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
81 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
890 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
97 mS
NF—噪声系数
0.9 dB
P1dB - 压缩点
24 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098611
商品其它信息
优势价格，TGF2025的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAS116HMFHT116
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 100V Vrm; 500mA Ifm Swtch Diode SOT-23
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6237
NVTFS5C466NLTAG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
1,500:¥1.8419
参考库存:4557
SURA8260T3G-VF01
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 REC SMA 2A 600V UL
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
5,000:¥1.01474
参考库存:4363
TD280N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 THYR / DIODE MODULE DK
1:¥674.8812
5:¥662.4399
10:¥632.6192
25:¥611.5673
参考库存:17155
TDZVTR9.1
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 500mW 8.2-10V SOD-323HE
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:4563
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