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分立半导体
IPB029N06N3 G参考图片

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IPB029N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB029N06N3GATMA1 IPB29N6N3GXT SP000453052
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IPB029N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ8.2D2/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥7.1642
4,500:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:37524
JANTX1N5533BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥137.3854
200:¥125.2492
500:¥117.181
参考库存:37527
SCAJ15FF
Semtech
分立半导体
桥式整流器 A 1PHFW 5.5A SFST 150V
10:¥891.6491
25:¥879.818
50:¥850.0086
100:¥802.5147
参考库存:37530
JANTX1N962DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥140.1539
250:¥127.7804
500:¥119.5653
参考库存:37533
3EZ51D10/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:37536
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