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分立半导体
SQV120N06-4M7L_GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SQV120N06-4M7L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:1,611(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.2044
202.044
100
¥16.5997
1659.97
250
¥16.0573
4014.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
230 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
9.65 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
118 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SQV120N06-4M7L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 22kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:13360
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥34.4198
10:¥28.5099
100:¥23.4362
250:¥22.7469
500:¥20.3626
参考库存:4921
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 90V Vrm 225mA Ifm H. Speed Switching
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
2,500:¥0.43053
8,000:¥0.3842
参考库存:42920
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V Vr 40A Io SBD ITO-220AB 20A
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
1,000:¥7.006
参考库存:6212
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 3A SMF(DO-219AB)
1:¥3.4578
10:¥2.3165
100:¥1.5707
500:¥1.2656
3,000:¥0.86784
6,000:查看
参考库存:8526
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