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分立半导体
SQP100N04-3M6_GE3参考图片

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SQP100N04-3M6_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:2,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.2098
15.2098
10
¥12.6786
126.786
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
200 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SQP100N04-3M6_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 1.0W 5%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,500:¥1.7854
4,500:查看
参考库存:3012
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 500mW 2%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02152
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:19266
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1642
参考库存:1730
分立半导体
整流器 920 Amp 3000 Volt 3.0uS
1:¥1,140.4638
5:¥1,118.022
10:¥1,065.929
25:¥1,043.5663
参考库存:1548
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥43.6406
10:¥35.0413
25:¥34.4198
100:¥31.9677
参考库存:1567
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