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分立半导体
IPP048N04N G参考图片

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IPP048N04N G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:1,565(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0851
708.51
500
¥6.2602
3130.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP048N04NGXKSA1 IPP48N4NGXK SP000648308
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP048N04N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.458
1,000:¥6.1698
参考库存:4773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
4,000:¥1.01474
参考库存:8425
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:2875
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
3,000:¥5.0963
参考库存:8152
分立半导体
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:2590
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