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分立半导体
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TGF2018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
优势价格,TGF2018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
1:¥16.1364
10:¥13.7521
100:¥10.9836
500:¥9.605
1,500:¥7.4354
4,500:查看
参考库存:3537
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 1A 60V
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥1.05316
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.60681
参考库存:7979
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3136
分立半导体
整流器 Ultra Fast 50V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:6843
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:7253
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