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分立半导体
APT25GT120BRDQ2G参考图片

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APT25GT120BRDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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数量单价合计
1
¥71.077
71.077
10
¥63.9354
639.354
25
¥58.2402
1456.005
100
¥52.5563
5255.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
347 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT25GT120BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器
1:¥947.053
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1:¥7.2207
10:¥5.8986
100:¥4.9155
500:¥3.7968
3,000:¥3.0397
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1:¥2.0792
10:¥1.356
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1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
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1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.4253
1,000:¥23.8204
2,000:查看
参考库存:2716
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1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.97632
5,000:¥0.62263
10,000:查看
参考库存:8957
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