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分立半导体
IRFI4019H-117P参考图片

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IRFI4019H-117P

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A for Digital Audio
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数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
1,000
¥9.4468
9446.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 40 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP001560458
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFI4019H-117P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC123TE-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K
3,000:¥0.3842
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1:¥7.1416
10:¥6.0681
100:¥4.6669
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24,800:¥3.2544
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