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分立半导体
IRFU6215PBF参考图片

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IRFU6215PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC
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1
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9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1133
611.33
500
¥5.4127
2706.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
295 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001557816
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFU6215PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥747.1899
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6,000:¥7.3676
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