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分立半导体
SI7212DN-T1-GE3参考图片

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SI7212DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
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3,000
¥12.4526
37357.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI7212DN-GE3
商品其它信息
优势价格，SI7212DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N970BE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
239:¥33.1203
250:¥29.8885
500:¥26.8149
1,000:¥22.5887
参考库存:25910
VS-30CTQ045-1-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-262-e3
1,000:¥6.2263
参考库存:25913
1N979BE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
254:¥28.0466
500:¥25.199
1,000:¥21.2101
2,500:¥20.2044
参考库存:25916
L6X8E5AP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V .8A
2,000:¥4.2262
参考库存:25919
1N4747AE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
269:¥26.5098
500:¥23.7413
1,000:¥20.0575
2,500:¥19.0518
参考库存:25922
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