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分立半导体
SIHP12N60E-GE3参考图片

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SIHP12N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:6,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP12N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GEN PUR SWITCH
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1359
500:¥5.4127
参考库存:5765
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双向可控硅 Hi temp 12A 双向可控硅
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.78
参考库存:6987
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1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:4841
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO SPCL
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:19987
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 1 Watt 5%
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.4012
500:¥1.1413
1,500:¥0.76049
4,500:查看
参考库存:15294
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