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分立半导体
STP24N60DM2参考图片

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STP24N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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数量单价合计
1
¥29.6625
29.6625
10
¥25.199
251.99
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.7468
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
FDmesh
封装
Tube
系列
STP24N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP24N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥3.2996
10:¥2.1357
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1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
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1:¥8.5315
10:¥7.0625
100:¥5.4127
500:¥4.6556
1,000:¥3.6838
参考库存:5270
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
2,000:¥0.7458
参考库存:14972
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
参考库存:9852
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:4675
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