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分立半导体
STH180N10F3-2参考图片

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STH180N10F3-2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
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数量单价合计
1
¥41.6518
41.6518
10
¥35.4255
354.255
100
¥30.6569
3065.69
250
¥29.1201
7280.025
1,000
¥22.0576
22057.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
114.6 nC
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH180N10F3-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH180N10F3-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMZG3801B-M3/5B
Vishay Semiconductors
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9,600:¥1.3334
12,800:¥1.2543
25,600:¥1.1865
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2,500:¥5.3788
5,000:¥5.1754
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参考库存:27737
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23,400:¥2.8024
参考库存:9200
BZD27B91P-M3-08
Vishay Semiconductors
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30,000:¥0.78422
参考库存:27742
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