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分立半导体
SIHD6N65E-GE3参考图片

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SIHD6N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
E
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:26725
BZX84C33LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 33V 250mW
1:¥1.07576
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:9557
1N4728A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 3.3V 1W ZENER 5%
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
参考库存:23269
1N5407-E3/73
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3.0 Amp 800 Volt
1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.09836
参考库存:10051
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