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分立半导体
SIHB22N60E-E3参考图片

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SIHB22N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥35.0413
35.0413
10
¥31.2784
312.784
100
¥25.5832
2558.32
250
¥22.2045
5551.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP19,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
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100:¥661.8184
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1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:查看
参考库存:2320
U309
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JFET JFET N-Channel -25V 20mA 500mW 4mW
1:¥84.8291
10:¥71.303
100:¥65.6191
250:¥59.8561
参考库存:2391
STL73
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:6994
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