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分立半导体
IKQ120N60TXKSA1参考图片

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IKQ120N60TXKSA1

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数量单价合计
1
¥92.5131
92.5131
10
¥85.0664
850.664
25
¥81.5295
2038.2375
100
¥71.8454
7184.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
833 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKQ120N60T SP001138292
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格，IKQ120N60TXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ19D10/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:34195
JANTXV1N4616UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥111.418
130:¥111.418
200:¥101.587
500:¥95.0556
1,000:¥87.1343
参考库存:34198
JANTX1N4619UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥112.5706
200:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:34201
JAN1N4971US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥91.7447
250:¥83.5974
500:¥78.2186
1,000:¥71.7663
参考库存:34204
JANS1N6354US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.1542
200:¥134.0858
500:¥127.6335
参考库存:34207
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