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分立半导体
IPB020NE7N3 G参考图片

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IPB020NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:5,399(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
1,000
¥21.2101
21210.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPB020NE7N3GATMA1 IPB2NE7N3GXT SP000676950
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB020NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥42.1038
100:¥40.115
250:¥35.1204
500:¥34.0356
参考库存:34415
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
146:¥48.7143
250:¥44.4881
500:¥40.567
1,000:¥34.352
2,500:¥32.4988
参考库存:34418
分立半导体
稳压二极管 0TC Reference Voltage Zener
100:¥81.6086
250:¥74.3766
500:¥69.6193
1,000:¥63.8563
参考库存:34421
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥87.5976
250:¥79.9136
500:¥74.7608
1,000:¥68.5458
参考库存:34424
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
477:¥14.9047
500:¥13.3679
1,000:¥11.2209
2,500:¥10.6785
5,000:¥9.7632
参考库存:34427
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