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分立半导体
STP7NM80参考图片

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STP7NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
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数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.1255
241.255
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.05 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP7NM80
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP7NM80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TZX27X-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE DO35-e2
1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
参考库存:53942
SD103CWS-HG3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE SOD323-HG3
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
参考库存:53945
BZT55C9V1-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:53948
PDZ27BZ
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 PDZ27B/SOD2/MULTI-REEL 7" Q1/T
3,000:¥0.1921
30,000:¥0.1921
60,000:¥0.17628
120,000:¥0.14577
参考库存:53951
BZX84W-B4V3F
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B4V3 SC-70
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:53954
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