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分立半导体
IPB120N04S4-01参考图片

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IPB120N04S4-01

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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库存:6,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.4416
18.4416
10
¥15.6731
156.731
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9836
5491.8
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPB120N04S401ATMA1 IPB12N4S41XT SP000705700
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB120N04S4-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:7243
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X15 Amp 45 Volt
1:¥22.4418
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:5223
分立半导体
IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:5656
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.62263
参考库存:15408
分立半导体
MOSFET 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V
1:¥9.6841
10:¥7.9891
2,500:¥7.9891
参考库存:6647
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