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分立半导体
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IKW25T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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库存：5,035(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.4037
51.4037
10
¥46.4882
464.882
25
¥44.3412
1108.53
100
¥38.4991
3849.91
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
190 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
21 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25T120FKSA1 IKW25T12XK SP000013939
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW25T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7956DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥27.8206
10:¥24.8148
100:¥20.3626
250:¥19.3682
3,000:¥12.8368
参考库存:4543
TD320N16SOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块
1:¥681.8759
5:¥669.3555
10:¥639.2297
25:¥617.8727
参考库存:2010
IRFH9310TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
4,000:¥4.5313
8,000:查看
参考库存:9620
B540C-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 5A
1:¥6.3732
10:¥5.424
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9041
3,000:¥2.9041
参考库存:32168
BTA216-800B,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC
1:¥11.526
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
参考库存:6847
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