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IRFS3307ZTRRPBF参考图片

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IRFS3307ZTRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC
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数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
800
¥9.5259
7620.72
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
79 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
320 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001568048
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFS3307ZTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B20S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 20V
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26354
BZT52B3V3S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 3V3
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26357
BZX84C3V0 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,0v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:26360
BZT55B47 L1 G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 47v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:26363
BZT55C39 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 39v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:26366
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