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分立半导体
2ST501T参考图片

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2ST501T

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL
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库存:6,195(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9495
694.95
500
¥6.1359
3067.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
100 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2ST501
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,2ST501T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11011
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:6767
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
500:¥14.3736
参考库存:5246
分立半导体
MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
2,000:¥8.9948
4,000:查看
参考库存:29635
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
1:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
500:¥4.5765
1,500:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:7311
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