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分立半导体
FDP083N15A-F102参考图片

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FDP083N15A-F102

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数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5153
235.153
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
500
¥17.3681
8684.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
6.85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64.5 nC
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP083N15A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
139 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDP083N15A_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP083N15A-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:21958
分立半导体
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
3,000:¥10.5994
6,000:查看
参考库存:6457
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single High-speed switching
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:14486
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 2A
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
5,000:¥0.87575
10,000:¥0.82264
参考库存:53421
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A, 45V,TRENCH SKY RECT.
1:¥4.9155
10:¥3.9437
100:¥2.9945
500:¥2.4747
1,000:¥1.9775
1,500:¥1.7967
参考库存:10990
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