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FDP083N15A-F102

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数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5153
235.153
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
500
¥17.3681
8684.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
6.85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64.5 nC
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP083N15A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
139 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDP083N15A_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP083N15A-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B20S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 20V
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10:¥1.6159
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1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26354
BZT52B3V3S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 3V3
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26357
BZX84C3V0 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,0v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:26360
BZT55B47 L1 G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 47v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:26363
BZT55C39 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 39v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:26366
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