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分立半导体
FS150R07N3E4参考图片

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FS150R07N3E4

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数量单价合计
1
¥1,132.7007
1132.7007
5
¥1,110.4171
5552.0855
10
¥1,058.6292
10586.292
25
¥1,036.4134
25910.335
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
430 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R07N3E4BOSA1 SP000843726
商品其它信息
优势价格,FS150R07N3E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 VR=600V, IO=5A
1:¥3.9211
10:¥2.8928
100:¥1.9662
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:32490
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 150mW 10%
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:32493
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.6159
500:¥0.9605
1,800:¥0.64523
9,000:查看
参考库存:32496
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 600V DO-204AL (DO-41)
1:¥2.3843
10:¥2.147
100:¥1.2204
1,000:¥0.44522
5,000:¥0.39211
参考库存:32499
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 150mW 10%
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:32502
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