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分立半导体
SI9945BDY-T1-GE3参考图片

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SI9945BDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
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库存：25,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI9
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 65 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns, 15 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 20 ns
零件号别名
SI9945BDY-GE3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格，SI9945BDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N755CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥139.3064
104:¥139.3064
200:¥127.012
500:¥118.876
参考库存:33901
JAN1N963DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥111.7231
200:¥101.8921
500:¥95.2816
1,000:¥87.4394
参考库存:33904
JANTX1N7051UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥101.0446
200:¥92.1289
500:¥86.219
1,000:¥79.0661
参考库存:33907
JANTXV1N3038B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥110.9547
130:¥110.9547
200:¥101.2028
500:¥94.6714
1,000:¥86.8292
参考库存:33910
JANTX1N749DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥141.928
200:¥129.3963
500:¥121.023
参考库存:33913
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