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分立半导体
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IPP120N20NFD

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库存:4,719(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.6464
46.6464
10
¥39.6517
396.517
100
¥34.352
3435.2
250
¥32.5779
8144.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
10.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS Fast Diode
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP120N20NFDAKSA1 SP001108122
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP120N20NFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 60A 600V 2PH CC MODULE POWER
1:¥323.7224
10:¥308.3544
25:¥301.371
50:¥294.2972
参考库存:1821
分立半导体
整流器 100 Volt 2.0A 25ns Glass Passivated
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.9662
500:¥1.6159
3,200:¥1.1413
6,400:查看
参考库存:9479
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 70V 100mA
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:28282
分立半导体
达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:8400
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 0.1A 80V High-speed Switching Diode
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:4680
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