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分立半导体
NGD8201ANT4G参考图片

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NGD8201ANT4G

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.7913
679.13
500
¥6.0003
3000.15
1,000
¥4.8816
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
440 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
15 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGD8201A
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Littelfuse
栅极—射极漏泄电流
300 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGD8201ANT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, FAST Rec. SMA RECTIFIER
15,000:¥0.91417
参考库存:18887
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Low VF Trench Schottky, 15A, 120V
6,000:¥2.8476
参考库存:18890
分立半导体
整流器 1A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.5537
50,000:¥0.49155
100,000:¥0.45313
参考库存:18893
分立半导体
MOSFET 30V, 60A, Single N-Channel Power MOSFET
10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:18896
分立半导体
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.4A
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4973
25,000:¥2.4408
参考库存:18899
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