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分立半导体
STP12NK30Z参考图片

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STP12NK30Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
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库存:5,791(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.5315
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP12NK30Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.4 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STP12NK30Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,750:¥3.3448
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67:¥106.1974
100:¥97.745
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1:¥4.1471
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100:¥2.2261
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参考库存:24412
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6,000:¥2.5877
参考库存:24415
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