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分立半导体
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BUL89

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥19.0518
190.518
100
¥16.5206
1652.06
250
¥15.6731
3918.275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
850 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
12 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL89
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
12 A
Pd-功率耗散
110 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BUL89的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:4316
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 300mW
1:¥5.9212
10:¥5.1189
100:¥3.5482
1,000:¥2.6442
参考库存:6587
分立半导体
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:7596
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4906
分立半导体
IGBT 模块
1:¥5,297.2705
5:¥5,212.5996
参考库存:3963
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