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分立半导体
SIHD6N62E-GE3参考图片

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SIHD6N62E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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库存:7,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.8817
3440.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHD6N62E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.8366
10:¥7.5823
100:¥5.8195
500:¥5.1528
5,000:¥3.6047
10,000:查看
参考库存:8244
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4181
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥89.7446
10:¥80.7611
25:¥73.5404
100:¥66.3875
参考库存:4664
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.3787
10:¥2.5877
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:27930
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 5A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
1,000:¥27.12
参考库存:5050
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