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分立半导体
STD4NK80ZT4参考图片

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STD4NK80ZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.0286
3514.3
2,500
¥4.9155
12288.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD4NK80Z
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
类型
MOSFET
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.9 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD4NK80ZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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