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分立半导体
SIHG47N60E-GE3参考图片

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SIHG47N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.3932
673.932
25
¥61.3929
1534.8225
100
¥55.4039
5540.39
250
¥50.9404
12735.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
148 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG47N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP150PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
参考库存:4210
IRFR9024PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
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1:¥7.5258
参考库存:2003
DF200R12PT4_B6
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分立半导体
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1:¥1,421.1558
5:¥1,387.0411
10:¥1,352.5422
25:¥1,333.6373
参考库存:1361
FQP30N06
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分立半导体
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
参考库存:3025
L4004L3TP
Littelfuse
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双向可控硅 Sen Triac 400V 4A 3-3-3-3 mA TO220 Iso
1:¥13.7521
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
1,000:¥6.4184
参考库存:2357
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