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分立半导体
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IPP65R190CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
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数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
500
¥14.1363
7068.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
68 nC
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP65R190CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
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APTM10SKM02G
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分立半导体
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100:¥955.2794
参考库存:31682
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