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分立半导体
IPB065N15N3GATMA1参考图片

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IPB065N15N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥41.3354
413.354
25
¥39.4144
985.36
100
¥34.1938
3419.38
1,000
¥25.9674
25967.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
G IPB065N15N3 IPB65N15N3GXT SP000521724
单位重量
1.600 g
商品其它信息
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