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分立半导体
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STP11NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
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数量单价合计
1
¥25.5832
25.5832
10
¥21.7412
217.412
100
¥18.8258
1882.58
250
¥17.8992
4474.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FDmesh
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP11NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4741AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥4.5991
10,000:¥4.5087
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1PMT4627CE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥1.9888
24,000:¥1.8758
48,000:¥1.8532
参考库存:28166
SMAJ5945CE3/TR13
Microsemi
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7,500:¥3.3335
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BT139-600G0TQ
WeEn Semiconductors
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双向可控硅 BT139-600G0T/SIL3P/STANDARD MA
5,000:¥2.712
10,000:¥2.6103
25,000:¥2.5312
参考库存:28172
SMAJ4758E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
参考库存:28175
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